IPI600N25N3GAKSA1
MOSFET N-CH 250V 25A TO262-3
Osa numero
IPI600N25N3GAKSA1
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Toimittajan laitepaketti
PG-TO262-3
Tehonhäviö (maks.)
136W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
250V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2350pF @ 100V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 43713 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPI600N25N3GAKSA1
IPI600N25N3GAKSA1 Elektroniset komponentit
IPI600N25N3GAKSA1 Myynti
IPI600N25N3GAKSA1 Toimittaja
IPI600N25N3GAKSA1 Jakelija
IPI600N25N3GAKSA1 Tietotaulukko
IPI600N25N3GAKSA1 Kuvat
IPI600N25N3GAKSA1 Hinta
IPI600N25N3GAKSA1 Tarjous
IPI600N25N3GAKSA1 Alin hinta
IPI600N25N3GAKSA1 Hae
IPI600N25N3GAKSA1 Ostaminen
IPI600N25N3GAKSA1 Chip