IPN95R3K7P7ATMA1
MOSFET N-CH 950V 2A SOT223
Osa numero
IPN95R3K7P7ATMA1
Valmistaja/merkki
Sarja
CoolMOS™ P7
Osan tila
Active
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
SOT-223-3
Toimittajan laitepaketti
PG-SOT223
Tehonhäviö (maks.)
6W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
950V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
3.7 Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 40µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
196pF @ 400V
Vgs (max)
±20V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 50344 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPN95R3K7P7ATMA1
IPN95R3K7P7ATMA1 Elektroniset komponentit
IPN95R3K7P7ATMA1 Myynti
IPN95R3K7P7ATMA1 Toimittaja
IPN95R3K7P7ATMA1 Jakelija
IPN95R3K7P7ATMA1 Tietotaulukko
IPN95R3K7P7ATMA1 Kuvat
IPN95R3K7P7ATMA1 Hinta
IPN95R3K7P7ATMA1 Tarjous
IPN95R3K7P7ATMA1 Alin hinta
IPN95R3K7P7ATMA1 Hae
IPN95R3K7P7ATMA1 Ostaminen
IPN95R3K7P7ATMA1 Chip