IPP100N04S4H2AKSA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3-1
Osa numero
IPP100N04S4H2AKSA1
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-220-3
Toimittajan laitepaketti
PG-TO220-3-1
Tehonhäviö (maks.)
115W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
2.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 70µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
7180pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 33490 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPP100N04S4H2AKSA1
IPP100N04S4H2AKSA1 Elektroniset komponentit
IPP100N04S4H2AKSA1 Myynti
IPP100N04S4H2AKSA1 Toimittaja
IPP100N04S4H2AKSA1 Jakelija
IPP100N04S4H2AKSA1 Tietotaulukko
IPP100N04S4H2AKSA1 Kuvat
IPP100N04S4H2AKSA1 Hinta
IPP100N04S4H2AKSA1 Tarjous
IPP100N04S4H2AKSA1 Alin hinta
IPP100N04S4H2AKSA1 Hae
IPP100N04S4H2AKSA1 Ostaminen
IPP100N04S4H2AKSA1 Chip