IPP320N20N3GXKSA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3
Osa numero
IPP320N20N3GXKSA1
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-220-3
Toimittajan laitepaketti
PG-TO-220-3
Tehonhäviö (maks.)
136W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
32 mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2350pF @ 100V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 33841 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPP320N20N3GXKSA1
IPP320N20N3GXKSA1 Elektroniset komponentit
IPP320N20N3GXKSA1 Myynti
IPP320N20N3GXKSA1 Toimittaja
IPP320N20N3GXKSA1 Jakelija
IPP320N20N3GXKSA1 Tietotaulukko
IPP320N20N3GXKSA1 Kuvat
IPP320N20N3GXKSA1 Hinta
IPP320N20N3GXKSA1 Tarjous
IPP320N20N3GXKSA1 Alin hinta
IPP320N20N3GXKSA1 Hae
IPP320N20N3GXKSA1 Ostaminen
IPP320N20N3GXKSA1 Chip