IPP80N03S4L03AKSA1
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Osa numero
IPP80N03S4L03AKSA1
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-220-3
Toimittajan laitepaketti
PG-TO220-3-1
Tehonhäviö (maks.)
136W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
2.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 90µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
9750pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 54584 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPP80N03S4L03AKSA1
IPP80N03S4L03AKSA1 Elektroniset komponentit
IPP80N03S4L03AKSA1 Myynti
IPP80N03S4L03AKSA1 Toimittaja
IPP80N03S4L03AKSA1 Jakelija
IPP80N03S4L03AKSA1 Tietotaulukko
IPP80N03S4L03AKSA1 Kuvat
IPP80N03S4L03AKSA1 Hinta
IPP80N03S4L03AKSA1 Tarjous
IPP80N03S4L03AKSA1 Alin hinta
IPP80N03S4L03AKSA1 Hae
IPP80N03S4L03AKSA1 Ostaminen
IPP80N03S4L03AKSA1 Chip