IPU04N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A IPAK
Osa numero
IPU04N03LA
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Toimittajan laitepaketti
P-TO251-3
Tehonhäviö (maks.)
115W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
25V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
4 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 80µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
5199pF @ 15V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 21698 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPU04N03LA
IPU04N03LA Elektroniset komponentit
IPU04N03LA Myynti
IPU04N03LA Toimittaja
IPU04N03LA Jakelija
IPU04N03LA Tietotaulukko
IPU04N03LA Kuvat
IPU04N03LA Hinta
IPU04N03LA Tarjous
IPU04N03LA Alin hinta
IPU04N03LA Hae
IPU04N03LA Ostaminen
IPU04N03LA Chip