IPU103N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 50A TO251-3
Osa numero
IPU103N08N3 G
Valmistaja/merkki
Sarja
OptiMOS™
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Toimittajan laitepaketti
PG-TO251-3
Tehonhäviö (maks.)
100W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
80V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
10.3 mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 46µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2410pF @ 40V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 29021 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPU103N08N3 G
IPU103N08N3 G Elektroniset komponentit
IPU103N08N3 G Myynti
IPU103N08N3 G Toimittaja
IPU103N08N3 G Jakelija
IPU103N08N3 G Tietotaulukko
IPU103N08N3 G Kuvat
IPU103N08N3 G Hinta
IPU103N08N3 G Tarjous
IPU103N08N3 G Alin hinta
IPU103N08N3 G Hae
IPU103N08N3 G Ostaminen
IPU103N08N3 G Chip