IPW80R360P7XKSA1
MOSFET N-CH 800V 13A TO247-3
Osa numero
IPW80R360P7XKSA1
Valmistaja/merkki
Sarja
CoolMOS™ P7
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-247-3
Toimittajan laitepaketti
PG-TO247-3
Tehonhäviö (maks.)
84W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
800V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 280µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
930pF @ 500V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 10853 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPW80R360P7XKSA1
IPW80R360P7XKSA1 Elektroniset komponentit
IPW80R360P7XKSA1 Myynti
IPW80R360P7XKSA1 Toimittaja
IPW80R360P7XKSA1 Jakelija
IPW80R360P7XKSA1 Tietotaulukko
IPW80R360P7XKSA1 Kuvat
IPW80R360P7XKSA1 Hinta
IPW80R360P7XKSA1 Tarjous
IPW80R360P7XKSA1 Alin hinta
IPW80R360P7XKSA1 Hae
IPW80R360P7XKSA1 Ostaminen
IPW80R360P7XKSA1 Chip