IPZA60R180P7XKSA1
MOSFET TO247-4
Osa numero
IPZA60R180P7XKSA1
Valmistaja/merkki
Sarja
CoolMOS™ P7
Osan tila
Active
Pakkaus
-
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-247-4
Toimittajan laitepaketti
PG-TO247-4
Tehonhäviö (maks.)
72W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 280µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1081pF @ 400V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 17249 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IPZA60R180P7XKSA1
IPZA60R180P7XKSA1 Elektroniset komponentit
IPZA60R180P7XKSA1 Myynti
IPZA60R180P7XKSA1 Toimittaja
IPZA60R180P7XKSA1 Jakelija
IPZA60R180P7XKSA1 Tietotaulukko
IPZA60R180P7XKSA1 Kuvat
IPZA60R180P7XKSA1 Hinta
IPZA60R180P7XKSA1 Tarjous
IPZA60R180P7XKSA1 Alin hinta
IPZA60R180P7XKSA1 Hae
IPZA60R180P7XKSA1 Ostaminen
IPZA60R180P7XKSA1 Chip