Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
IRL1004SPBF

IRL1004SPBF

MOSFET N-CH 40V 130A D2PAK
Osa numero
IRL1004SPBF
Valmistaja/merkki
Sarja
HEXFET®
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti
D2PAK
Tehonhäviö (maks.)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
130A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
6.5 mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
5330pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 48430 PCS
Yhteystiedot
Avainsanat aiheesta IRL1004SPBF
IRL1004SPBF Elektroniset komponentit
IRL1004SPBF Myynti
IRL1004SPBF Toimittaja
IRL1004SPBF Jakelija
IRL1004SPBF Tietotaulukko
IRL1004SPBF Kuvat
IRL1004SPBF Hinta
IRL1004SPBF Tarjous
IRL1004SPBF Alin hinta
IRL1004SPBF Hae
IRL1004SPBF Ostaminen
IRL1004SPBF Chip