IRL60HS118
MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
Osa numero
IRL60HS118
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
6-VDFN Exposed Pad
Toimittajan laitepaketti
6-PQFN (2x2)
Tehonhäviö (maks.)
11.5W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
18.5A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
17 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 10µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 21651 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IRL60HS118
IRL60HS118 Elektroniset komponentit
IRL60HS118 Myynti
IRL60HS118 Toimittaja
IRL60HS118 Jakelija
IRL60HS118 Tietotaulukko
IRL60HS118 Kuvat
IRL60HS118 Hinta
IRL60HS118 Tarjous
IRL60HS118 Alin hinta
IRL60HS118 Hae
IRL60HS118 Ostaminen
IRL60HS118 Chip