IRL6372TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC
Osa numero
IRL6372TRPBF
Valmistaja/merkki
Sarja
HEXFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Teho - Max
2W
Toimittajan laitepaketti
8-SO
FET-tyyppi
2 N-Channel (Dual)
FET-ominaisuus
Logic Level Gate
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
8.1A
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 10µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1020pF @ 25V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 7100 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IRL6372TRPBF
IRL6372TRPBF Elektroniset komponentit
IRL6372TRPBF Myynti
IRL6372TRPBF Toimittaja
IRL6372TRPBF Jakelija
IRL6372TRPBF Tietotaulukko
IRL6372TRPBF Kuvat
IRL6372TRPBF Hinta
IRL6372TRPBF Tarjous
IRL6372TRPBF Alin hinta
IRL6372TRPBF Hae
IRL6372TRPBF Ostaminen
IRL6372TRPBF Chip