SPS03N60C3
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO251-3
Osa numero
SPS03N60C3
Valmistaja/merkki
Sarja
CoolMOS™
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
-
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Toimittajan laitepaketti
PG-TO251-3
Tehonhäviö (maks.)
38W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
3.2A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 135µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
400pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 7127 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta SPS03N60C3
SPS03N60C3 Elektroniset komponentit
SPS03N60C3 Myynti
SPS03N60C3 Toimittaja
SPS03N60C3 Jakelija
SPS03N60C3 Tietotaulukko
SPS03N60C3 Kuvat
SPS03N60C3 Hinta
SPS03N60C3 Tarjous
SPS03N60C3 Alin hinta
SPS03N60C3 Hae
SPS03N60C3 Ostaminen
SPS03N60C3 Chip