IXFH102N15T
MOSFET N-CH 150V 102A TO-247
Osa numero
IXFH102N15T
Valmistaja/merkki
Sarja
HiPerFET™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-247-3
Toimittajan laitepaketti
TO-247AD (IXFH)
Tehonhäviö (maks.)
455W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
150V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
102A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
87nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
5220pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 25742 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IXFH102N15T
IXFH102N15T Elektroniset komponentit
IXFH102N15T Myynti
IXFH102N15T Toimittaja
IXFH102N15T Jakelija
IXFH102N15T Tietotaulukko
IXFH102N15T Kuvat
IXFH102N15T Hinta
IXFH102N15T Tarjous
IXFH102N15T Alin hinta
IXFH102N15T Hae
IXFH102N15T Ostaminen
IXFH102N15T Chip