IXFH14N85X
MOSFET N-CH 850V 14A TO247AD
Osa numero
IXFH14N85X
Valmistaja/merkki
Sarja
HiPerFET™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-247-3
Toimittajan laitepaketti
TO-247-3
Tehonhäviö (maks.)
460W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
850V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
14A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
550 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 1mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1043pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±30V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 10846 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IXFH14N85X
IXFH14N85X Elektroniset komponentit
IXFH14N85X Myynti
IXFH14N85X Toimittaja
IXFH14N85X Jakelija
IXFH14N85X Tietotaulukko
IXFH14N85X Kuvat
IXFH14N85X Hinta
IXFH14N85X Tarjous
IXFH14N85X Alin hinta
IXFH14N85X Hae
IXFH14N85X Ostaminen
IXFH14N85X Chip