IXFH150N15P
MOSFET N-CH 150V 150A TO-247
Osa numero
IXFH150N15P
Valmistaja/merkki
Sarja
PolarHT™ HiPerFET™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-247-3
Toimittajan laitepaketti
TO-247AD (IXFH)
Tehonhäviö (maks.)
714W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
150V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
150A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
13 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
190nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
5800pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 43224 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IXFH150N15P
IXFH150N15P Elektroniset komponentit
IXFH150N15P Myynti
IXFH150N15P Toimittaja
IXFH150N15P Jakelija
IXFH150N15P Tietotaulukko
IXFH150N15P Kuvat
IXFH150N15P Hinta
IXFH150N15P Tarjous
IXFH150N15P Alin hinta
IXFH150N15P Hae
IXFH150N15P Ostaminen
IXFH150N15P Chip