IXFH22N65X2
MOSFET N-CH 650V 22A TO-247
Osa numero
IXFH22N65X2
Valmistaja/merkki
Sarja
HiPerFET™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-247-3
Toimittajan laitepaketti
TO-247
Tehonhäviö (maks.)
390W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
160 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 1.5mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2310pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±30V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 17871 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IXFH22N65X2
IXFH22N65X2 Elektroniset komponentit
IXFH22N65X2 Myynti
IXFH22N65X2 Toimittaja
IXFH22N65X2 Jakelija
IXFH22N65X2 Tietotaulukko
IXFH22N65X2 Kuvat
IXFH22N65X2 Hinta
IXFH22N65X2 Tarjous
IXFH22N65X2 Alin hinta
IXFH22N65X2 Hae
IXFH22N65X2 Ostaminen
IXFH22N65X2 Chip