IXFH24N50Q
MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
Osa numero
IXFH24N50Q
Valmistaja/merkki
Sarja
HiPerFET™
Osan tila
Last Time Buy
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-247-3
Toimittajan laitepaketti
TO-247AD (IXFH)
Tehonhäviö (maks.)
300W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
500V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
230 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3900pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 24590 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IXFH24N50Q
IXFH24N50Q Elektroniset komponentit
IXFH24N50Q Myynti
IXFH24N50Q Toimittaja
IXFH24N50Q Jakelija
IXFH24N50Q Tietotaulukko
IXFH24N50Q Kuvat
IXFH24N50Q Hinta
IXFH24N50Q Tarjous
IXFH24N50Q Alin hinta
IXFH24N50Q Hae
IXFH24N50Q Ostaminen
IXFH24N50Q Chip