IXFH34N65X2
MOSFET N-CH 650V 34A TO-247
Osa numero
IXFH34N65X2
Valmistaja/merkki
Sarja
HiPerFET™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-247-3
Toimittajan laitepaketti
TO-247
Tehonhäviö (maks.)
540W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
650V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 2.5mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3330pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±30V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 22722 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IXFH34N65X2
IXFH34N65X2 Elektroniset komponentit
IXFH34N65X2 Myynti
IXFH34N65X2 Toimittaja
IXFH34N65X2 Jakelija
IXFH34N65X2 Tietotaulukko
IXFH34N65X2 Kuvat
IXFH34N65X2 Hinta
IXFH34N65X2 Tarjous
IXFH34N65X2 Alin hinta
IXFH34N65X2 Hae
IXFH34N65X2 Ostaminen
IXFH34N65X2 Chip