IXFK100N10
MOSFET N-CH 100V 100A TO-264AA
Osa numero
IXFK100N10
Valmistaja/merkki
Sarja
HiPerFET™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-264-3, TO-264AA
Toimittajan laitepaketti
TO-264AA (IXFK)
Tehonhäviö (maks.)
500W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 8mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
360nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
9000pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 35219 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IXFK100N10
IXFK100N10 Elektroniset komponentit
IXFK100N10 Myynti
IXFK100N10 Toimittaja
IXFK100N10 Jakelija
IXFK100N10 Tietotaulukko
IXFK100N10 Kuvat
IXFK100N10 Hinta
IXFK100N10 Tarjous
IXFK100N10 Alin hinta
IXFK100N10 Hae
IXFK100N10 Ostaminen
IXFK100N10 Chip