IXFK420N10T
MOSFET N-CH 100V 420A TO-264
Osa numero
IXFK420N10T
Valmistaja/merkki
Sarja
GigaMOS™ HiPerFET™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-264-3, TO-264AA
Toimittajan laitepaketti
TO-264AA (IXFK)
Tehonhäviö (maks.)
1670W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
420A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
2.6 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
670nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
47000pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 48749 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IXFK420N10T
IXFK420N10T Elektroniset komponentit
IXFK420N10T Myynti
IXFK420N10T Toimittaja
IXFK420N10T Jakelija
IXFK420N10T Tietotaulukko
IXFK420N10T Kuvat
IXFK420N10T Hinta
IXFK420N10T Tarjous
IXFK420N10T Alin hinta
IXFK420N10T Hae
IXFK420N10T Ostaminen
IXFK420N10T Chip