Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
IXFK64N60P

IXFK64N60P

MOSFET N-CH 600V 64A TO-264
Osa numero
IXFK64N60P
Valmistaja/merkki
Sarja
HiPerFET™, PolarHT™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-264-3, TO-264AA
Toimittajan laitepaketti
TO-264AA (IXFK)
Tehonhäviö (maks.)
1040W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
64A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
96 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
200nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
12000pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±30V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 33661 PCS
Yhteystiedot
Avainsanat aiheesta IXFK64N60P
IXFK64N60P Elektroniset komponentit
IXFK64N60P Myynti
IXFK64N60P Toimittaja
IXFK64N60P Jakelija
IXFK64N60P Tietotaulukko
IXFK64N60P Kuvat
IXFK64N60P Hinta
IXFK64N60P Tarjous
IXFK64N60P Alin hinta
IXFK64N60P Hae
IXFK64N60P Ostaminen
IXFK64N60P Chip