IXFK90N60X
MOSFET N-CH 600V 90A TO-264
Osa numero
IXFK90N60X
Valmistaja/merkki
Sarja
HiPerFET™
Osan tila
Active
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-264-3, TO-264AA
Toimittajan laitepaketti
TO-264
Tehonhäviö (maks.)
1100W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
90A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
38 mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
210nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
8500pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±30V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 17753 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta IXFK90N60X
IXFK90N60X Elektroniset komponentit
IXFK90N60X Myynti
IXFK90N60X Toimittaja
IXFK90N60X Jakelija
IXFK90N60X Tietotaulukko
IXFK90N60X Kuvat
IXFK90N60X Hinta
IXFK90N60X Tarjous
IXFK90N60X Alin hinta
IXFK90N60X Hae
IXFK90N60X Ostaminen
IXFK90N60X Chip