TP5322N8-G
MOSFET P-CH 220V 0.26A SOT89-3
Osa numero
TP5322N8-G
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-243AA
Toimittajan laitepaketti
TO-243AA (SOT-89)
Tehonhäviö (maks.)
1.6W (Ta)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
220V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
260mA (Tj)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
12 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 1mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
-
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
110pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 11038 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta TP5322N8-G
TP5322N8-G Elektroniset komponentit
TP5322N8-G Myynti
TP5322N8-G Toimittaja
TP5322N8-G Jakelija
TP5322N8-G Tietotaulukko
TP5322N8-G Kuvat
TP5322N8-G Hinta
TP5322N8-G Tarjous
TP5322N8-G Alin hinta
TP5322N8-G Hae
TP5322N8-G Ostaminen
TP5322N8-G Chip