VP2110K1-G
MOSFET P-CH 100V 0.12A SOT23-3
Osa numero
VP2110K1-G
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajan laitepaketti
TO-236AB (SOT23)
Tehonhäviö (maks.)
360mW (Ta)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
120mA (Tj)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
12 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
-
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
60pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 45544 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta VP2110K1-G
VP2110K1-G Elektroniset komponentit
VP2110K1-G Myynti
VP2110K1-G Toimittaja
VP2110K1-G Jakelija
VP2110K1-G Tietotaulukko
VP2110K1-G Kuvat
VP2110K1-G Hinta
VP2110K1-G Tarjous
VP2110K1-G Alin hinta
VP2110K1-G Hae
VP2110K1-G Ostaminen
VP2110K1-G Chip