PMCXB1000UEZ
MOSFET N/P-CH 30V DFN1010B-6
Osa numero
PMCXB1000UEZ
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
6-XFDFN Exposed Pad
Teho - Max
285mW (Ta)
Toimittajan laitepaketti
DFN1010B-6
FET-tyyppi
N and P-Channel Complementary
FET-ominaisuus
Standard
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
590mA (Ta), 410mA (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
670 mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 38131 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta PMCXB1000UEZ
PMCXB1000UEZ Elektroniset komponentit
PMCXB1000UEZ Myynti
PMCXB1000UEZ Toimittaja
PMCXB1000UEZ Jakelija
PMCXB1000UEZ Tietotaulukko
PMCXB1000UEZ Kuvat
PMCXB1000UEZ Hinta
PMCXB1000UEZ Tarjous
PMCXB1000UEZ Alin hinta
PMCXB1000UEZ Hae
PMCXB1000UEZ Ostaminen
PMCXB1000UEZ Chip