Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
PH3830L,115

PH3830L,115

MOSFET N-CH 30V 98A LFPAK
Osa numero
PH3830L,115
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchMOS™
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
SC-100, SOT-669
Toimittajan laitepaketti
LFPAK56, Power-SO8
Tehonhäviö (maks.)
62.5W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
98A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
3.8 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3190pF @ 10V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 35224 PCS
Yhteystiedot
Avainsanat aiheesta PH3830L,115
PH3830L,115 Elektroniset komponentit
PH3830L,115 Myynti
PH3830L,115 Toimittaja
PH3830L,115 Jakelija
PH3830L,115 Tietotaulukko
PH3830L,115 Kuvat
PH3830L,115 Hinta
PH3830L,115 Tarjous
PH3830L,115 Alin hinta
PH3830L,115 Hae
PH3830L,115 Ostaminen
PH3830L,115 Chip