PHD23NQ10T,118
MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
Osa numero
PHD23NQ10T,118
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchMOS™
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
DPAK
Tehonhäviö (maks.)
100W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
70 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1187pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 24506 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta PHD23NQ10T,118
PHD23NQ10T,118 Elektroniset komponentit
PHD23NQ10T,118 Myynti
PHD23NQ10T,118 Toimittaja
PHD23NQ10T,118 Jakelija
PHD23NQ10T,118 Tietotaulukko
PHD23NQ10T,118 Kuvat
PHD23NQ10T,118 Hinta
PHD23NQ10T,118 Tarjous
PHD23NQ10T,118 Alin hinta
PHD23NQ10T,118 Hae
PHD23NQ10T,118 Ostaminen
PHD23NQ10T,118 Chip