PHD98N03LT,118
MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
Osa numero
PHD98N03LT,118
Valmistaja/merkki
Sarja
TrenchMOS™
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
DPAK
Tehonhäviö (maks.)
111W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
25V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
5.9 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 20V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 23410 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta PHD98N03LT,118
PHD98N03LT,118 Elektroniset komponentit
PHD98N03LT,118 Myynti
PHD98N03LT,118 Toimittaja
PHD98N03LT,118 Jakelija
PHD98N03LT,118 Tietotaulukko
PHD98N03LT,118 Kuvat
PHD98N03LT,118 Hinta
PHD98N03LT,118 Tarjous
PHD98N03LT,118 Alin hinta
PHD98N03LT,118 Hae
PHD98N03LT,118 Ostaminen
PHD98N03LT,118 Chip