Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
FDB52N20TM

FDB52N20TM

MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Osa numero
FDB52N20TM
Valmistaja/merkki
Sarja
UniFET™
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti
D²PAK
Tehonhäviö (maks.)
357W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
49 mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2900pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±30V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 52085 PCS
Yhteystiedot
Avainsanat aiheesta FDB52N20TM
FDB52N20TM Elektroniset komponentit
FDB52N20TM Myynti
FDB52N20TM Toimittaja
FDB52N20TM Jakelija
FDB52N20TM Tietotaulukko
FDB52N20TM Kuvat
FDB52N20TM Hinta
FDB52N20TM Tarjous
FDB52N20TM Alin hinta
FDB52N20TM Hae
FDB52N20TM Ostaminen
FDB52N20TM Chip