FQB9N08TM
MOSFET N-CH 80V 9.3A D2PAK
Osa numero
FQB9N08TM
Valmistaja/merkki
Sarja
QFET®
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti
D²PAK (TO-263AB)
Tehonhäviö (maks.)
3.75W (Ta), 40W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
80V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
9.3A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
210 mOhm @ 4.65A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
7.7nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±25V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 42678 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta FQB9N08TM
FQB9N08TM Elektroniset komponentit
FQB9N08TM Myynti
FQB9N08TM Toimittaja
FQB9N08TM Jakelija
FQB9N08TM Tietotaulukko
FQB9N08TM Kuvat
FQB9N08TM Hinta
FQB9N08TM Tarjous
FQB9N08TM Alin hinta
FQB9N08TM Hae
FQB9N08TM Ostaminen
FQB9N08TM Chip