FQB9P25TM
MOSFET P-CH 250V 9.4A D2PAK
Osa numero
FQB9P25TM
Valmistaja/merkki
Sarja
QFET®
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti
D²PAK (TO-263AB)
Tehonhäviö (maks.)
3.13W (Ta), 120W (Tc)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
250V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
9.4A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
620 mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1180pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±30V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 26109 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta FQB9P25TM
FQB9P25TM Elektroniset komponentit
FQB9P25TM Myynti
FQB9P25TM Toimittaja
FQB9P25TM Jakelija
FQB9P25TM Tietotaulukko
FQB9P25TM Kuvat
FQB9P25TM Hinta
FQB9P25TM Tarjous
FQB9P25TM Alin hinta
FQB9P25TM Hae
FQB9P25TM Ostaminen
FQB9P25TM Chip