Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
FQD10N20CTM

FQD10N20CTM

MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
Osa numero
FQD10N20CTM
Valmistaja/merkki
Sarja
QFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
D-Pak
Tehonhäviö (maks.)
50W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
200V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
7.8A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
360 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
510pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±30V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 29026 PCS
Yhteystiedot
Avainsanat aiheesta FQD10N20CTM
FQD10N20CTM Elektroniset komponentit
FQD10N20CTM Myynti
FQD10N20CTM Toimittaja
FQD10N20CTM Jakelija
FQD10N20CTM Tietotaulukko
FQD10N20CTM Kuvat
FQD10N20CTM Hinta
FQD10N20CTM Tarjous
FQD10N20CTM Alin hinta
FQD10N20CTM Hae
FQD10N20CTM Ostaminen
FQD10N20CTM Chip