Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
FQT7N10LTF

FQT7N10LTF

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223
Osa numero
FQT7N10LTF
Valmistaja/merkki
Sarja
QFET®
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-261-4, TO-261AA
Toimittajan laitepaketti
SOT-223-4
Tehonhäviö (maks.)
2W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
100V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
350 mOhm @ 850mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 42545 PCS
Yhteystiedot
Avainsanat aiheesta FQT7N10LTF
FQT7N10LTF Elektroniset komponentit
FQT7N10LTF Myynti
FQT7N10LTF Toimittaja
FQT7N10LTF Jakelija
FQT7N10LTF Tietotaulukko
FQT7N10LTF Kuvat
FQT7N10LTF Hinta
FQT7N10LTF Tarjous
FQT7N10LTF Alin hinta
FQT7N10LTF Hae
FQT7N10LTF Ostaminen
FQT7N10LTF Chip