MGSF1N03LT1G
MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23
Osa numero
MGSF1N03LT1G
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajan laitepaketti
SOT-23-3 (TO-236)
Tehonhäviö (maks.)
420mW (Ta)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
1.6A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
-
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 5V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 41955 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta MGSF1N03LT1G
MGSF1N03LT1G Elektroniset komponentit
MGSF1N03LT1G Myynti
MGSF1N03LT1G Toimittaja
MGSF1N03LT1G Jakelija
MGSF1N03LT1G Tietotaulukko
MGSF1N03LT1G Kuvat
MGSF1N03LT1G Hinta
MGSF1N03LT1G Tarjous
MGSF1N03LT1G Alin hinta
MGSF1N03LT1G Hae
MGSF1N03LT1G Ostaminen
MGSF1N03LT1G Chip