MGSF2N02ELT1G
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT-23
Osa numero
MGSF2N02ELT1G
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajan laitepaketti
SOT-23-3 (TO-236)
Tehonhäviö (maks.)
1.25W (Ta)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
2.8A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
85 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
3.5nC @ 4V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
150pF @ 5V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 30936 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta MGSF2N02ELT1G
MGSF2N02ELT1G Elektroniset komponentit
MGSF2N02ELT1G Myynti
MGSF2N02ELT1G Toimittaja
MGSF2N02ELT1G Jakelija
MGSF2N02ELT1G Tietotaulukko
MGSF2N02ELT1G Kuvat
MGSF2N02ELT1G Hinta
MGSF2N02ELT1G Tarjous
MGSF2N02ELT1G Alin hinta
MGSF2N02ELT1G Hae
MGSF2N02ELT1G Ostaminen
MGSF2N02ELT1G Chip