NDD60N550U1T4G
MOSFET N-CH 600V 8.2A DPAK-3
Osa numero
NDD60N550U1T4G
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
DPAK
Tehonhäviö (maks.)
94W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
600V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
8.2A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
550 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
540pF @ 50V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±25V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 52354 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta NDD60N550U1T4G
NDD60N550U1T4G Elektroniset komponentit
NDD60N550U1T4G Myynti
NDD60N550U1T4G Toimittaja
NDD60N550U1T4G Jakelija
NDD60N550U1T4G Tietotaulukko
NDD60N550U1T4G Kuvat
NDD60N550U1T4G Hinta
NDD60N550U1T4G Tarjous
NDD60N550U1T4G Alin hinta
NDD60N550U1T4G Hae
NDD60N550U1T4G Ostaminen
NDD60N550U1T4G Chip