NTMS10P02R2G
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
Osa numero
NTMS10P02R2G
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Toimittajan laitepaketti
8-SOIC
Tehonhäviö (maks.)
1.6W (Ta)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
20V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
8.8A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
70nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3640pF @ 16V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±12V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 28606 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta NTMS10P02R2G
NTMS10P02R2G Elektroniset komponentit
NTMS10P02R2G Myynti
NTMS10P02R2G Toimittaja
NTMS10P02R2G Jakelija
NTMS10P02R2G Tietotaulukko
NTMS10P02R2G Kuvat
NTMS10P02R2G Hinta
NTMS10P02R2G Tarjous
NTMS10P02R2G Alin hinta
NTMS10P02R2G Hae
NTMS10P02R2G Ostaminen
NTMS10P02R2G Chip