Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
NTR5198NLT1G

NTR5198NLT1G

MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23
Osa numero
NTR5198NLT1G
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajan laitepaketti
SOT-23-3 (TO-236)
Tehonhäviö (maks.)
900mW (Ta)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
155 mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
2.8nC @ 4.5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
182pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 40013 PCS
Yhteystiedot
Avainsanat aiheesta NTR5198NLT1G
NTR5198NLT1G Elektroniset komponentit
NTR5198NLT1G Myynti
NTR5198NLT1G Toimittaja
NTR5198NLT1G Jakelija
NTR5198NLT1G Tietotaulukko
NTR5198NLT1G Kuvat
NTR5198NLT1G Hinta
NTR5198NLT1G Tarjous
NTR5198NLT1G Alin hinta
NTR5198NLT1G Hae
NTR5198NLT1G Ostaminen
NTR5198NLT1G Chip