NVATS4A104PZT4G
MOSFET P-CHANNEL 30V 82A ATPAK
Osa numero
NVATS4A104PZT4G
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
ATPAK
Tehonhäviö (maks.)
72W (Tc)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
82A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
8.4 mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 1mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
76nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
3950pF @ 10V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 8978 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta NVATS4A104PZT4G
NVATS4A104PZT4G Elektroniset komponentit
NVATS4A104PZT4G Myynti
NVATS4A104PZT4G Toimittaja
NVATS4A104PZT4G Jakelija
NVATS4A104PZT4G Tietotaulukko
NVATS4A104PZT4G Kuvat
NVATS4A104PZT4G Hinta
NVATS4A104PZT4G Tarjous
NVATS4A104PZT4G Alin hinta
NVATS4A104PZT4G Hae
NVATS4A104PZT4G Ostaminen
NVATS4A104PZT4G Chip