NVD5117PLT4G-VF01
MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
Osa numero
NVD5117PLT4G-VF01
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
DPAK
Tehonhäviö (maks.)
4.1W (Ta), 118W (Tc)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
11A (Ta), 61A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
85nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
4800pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 25380 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta NVD5117PLT4G-VF01
NVD5117PLT4G-VF01 Elektroniset komponentit
NVD5117PLT4G-VF01 Myynti
NVD5117PLT4G-VF01 Toimittaja
NVD5117PLT4G-VF01 Jakelija
NVD5117PLT4G-VF01 Tietotaulukko
NVD5117PLT4G-VF01 Kuvat
NVD5117PLT4G-VF01 Hinta
NVD5117PLT4G-VF01 Tarjous
NVD5117PLT4G-VF01 Alin hinta
NVD5117PLT4G-VF01 Hae
NVD5117PLT4G-VF01 Ostaminen
NVD5117PLT4G-VF01 Chip