Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
NVD5806NT4G

NVD5806NT4G

MOSFET N-CH 40V DPAK
Osa numero
NVD5806NT4G
Valmistaja/merkki
Osan tila
Discontinued at Digi-Key
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
DPAK
Tehonhäviö (maks.)
40W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
19 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
860pF @ 25V
Vgs (max)
±20V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 52157 PCS
Yhteystiedot
Avainsanat aiheesta NVD5806NT4G
NVD5806NT4G Elektroniset komponentit
NVD5806NT4G Myynti
NVD5806NT4G Toimittaja
NVD5806NT4G Jakelija
NVD5806NT4G Tietotaulukko
NVD5806NT4G Kuvat
NVD5806NT4G Hinta
NVD5806NT4G Tarjous
NVD5806NT4G Alin hinta
NVD5806NT4G Hae
NVD5806NT4G Ostaminen
NVD5806NT4G Chip