Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
NVD5807NT4G

NVD5807NT4G

MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
Osa numero
NVD5807NT4G
Valmistaja/merkki
Osan tila
Discontinued at Digi-Key
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
DPAK
Tehonhäviö (maks.)
33W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
40V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
31 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
603pF @ 25V
Vgs (max)
±20V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 25158 PCS
Yhteystiedot
Avainsanat aiheesta NVD5807NT4G
NVD5807NT4G Elektroniset komponentit
NVD5807NT4G Myynti
NVD5807NT4G Toimittaja
NVD5807NT4G Jakelija
NVD5807NT4G Tietotaulukko
NVD5807NT4G Kuvat
NVD5807NT4G Hinta
NVD5807NT4G Tarjous
NVD5807NT4G Alin hinta
NVD5807NT4G Hae
NVD5807NT4G Ostaminen
NVD5807NT4G Chip