Kuva saattaa olla esitys.
Katso tuotteen tekniset tiedot.
NVD5865NLT4G

NVD5865NLT4G

MOSFET N-CH 60V 10A DPAK-4
Osa numero
NVD5865NLT4G
Valmistaja/merkki
Osan tila
Discontinued at Digi-Key
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
DPAK
Tehonhäviö (maks.)
3.1W (Ta), 71W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
10A (Ta), 46A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
29nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 25V
Vgs (max)
±20V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 12437 PCS
Yhteystiedot
Avainsanat aiheesta NVD5865NLT4G
NVD5865NLT4G Elektroniset komponentit
NVD5865NLT4G Myynti
NVD5865NLT4G Toimittaja
NVD5865NLT4G Jakelija
NVD5865NLT4G Tietotaulukko
NVD5865NLT4G Kuvat
NVD5865NLT4G Hinta
NVD5865NLT4G Tarjous
NVD5865NLT4G Alin hinta
NVD5865NLT4G Hae
NVD5865NLT4G Ostaminen
NVD5865NLT4G Chip