NVTR4502PT1G
MOSFET P-CH 30V 1.95A SOT23
Osa numero
NVTR4502PT1G
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
-55°C ~ 150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Toimittajan laitepaketti
SOT-23-3 (TO-236)
Tehonhäviö (maks.)
400mW (Ta)
FET-tyyppi
P-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
1.13A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 1.95A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
200pF @ 15V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 32439 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta NVTR4502PT1G
NVTR4502PT1G Elektroniset komponentit
NVTR4502PT1G Myynti
NVTR4502PT1G Toimittaja
NVTR4502PT1G Jakelija
NVTR4502PT1G Tietotaulukko
NVTR4502PT1G Kuvat
NVTR4502PT1G Hinta
NVTR4502PT1G Tarjous
NVTR4502PT1G Alin hinta
NVTR4502PT1G Hae
NVTR4502PT1G Ostaminen
NVTR4502PT1G Chip