WPB4001-1E
MOSFET N-CH 500V 26A TO3P3L
Osa numero
WPB4001-1E
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tube
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Through Hole
Paketti / kotelo
TO-3P-3, SC-65-3
Toimittajan laitepaketti
TO-3P-3L
Tehonhäviö (maks.)
2.5W (Ta), 220W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
500V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
26A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
260 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
87nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2250pF @ 30V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±30V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 6008 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta WPB4001-1E
WPB4001-1E Elektroniset komponentit
WPB4001-1E Myynti
WPB4001-1E Toimittaja
WPB4001-1E Jakelija
WPB4001-1E Tietotaulukko
WPB4001-1E Kuvat
WPB4001-1E Hinta
WPB4001-1E Tarjous
WPB4001-1E Alin hinta
WPB4001-1E Hae
WPB4001-1E Ostaminen
WPB4001-1E Chip