NP82N055PUG-E1-AY
MOSFET N-CH 55V 82A TO-263
Osa numero
NP82N055PUG-E1-AY
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Active
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
175°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Toimittajan laitepaketti
TO-263
Tehonhäviö (maks.)
1.8W (Ta), 143W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
55V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
82A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
5.2 mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
9600pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 8774 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta NP82N055PUG-E1-AY
NP82N055PUG-E1-AY Elektroniset komponentit
NP82N055PUG-E1-AY Myynti
NP82N055PUG-E1-AY Toimittaja
NP82N055PUG-E1-AY Jakelija
NP82N055PUG-E1-AY Tietotaulukko
NP82N055PUG-E1-AY Kuvat
NP82N055PUG-E1-AY Hinta
NP82N055PUG-E1-AY Tarjous
NP82N055PUG-E1-AY Alin hinta
NP82N055PUG-E1-AY Hae
NP82N055PUG-E1-AY Ostaminen
NP82N055PUG-E1-AY Chip