RDD023N50TL
MOSFET N-CH 500V 2A CPT3
Osa numero
RDD023N50TL
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Not For New Designs
Pakkaus
Digi-Reel®
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
CPT3
Tehonhäviö (maks.)
20W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
500V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
5.4 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
151pF @ 25V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 24618 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta RDD023N50TL
RDD023N50TL Elektroniset komponentit
RDD023N50TL Myynti
RDD023N50TL Toimittaja
RDD023N50TL Jakelija
RDD023N50TL Tietotaulukko
RDD023N50TL Kuvat
RDD023N50TL Hinta
RDD023N50TL Tarjous
RDD023N50TL Alin hinta
RDD023N50TL Hae
RDD023N50TL Ostaminen
RDD023N50TL Chip