RK3055ETL
MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
Osa numero
RK3055ETL
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Cut Tape (CT)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Toimittajan laitepaketti
CPT3
Tehonhäviö (maks.)
20W (Tc)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
60V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
-
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
520pF @ 10V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 43258 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta RK3055ETL
RK3055ETL Elektroniset komponentit
RK3055ETL Myynti
RK3055ETL Toimittaja
RK3055ETL Jakelija
RK3055ETL Tietotaulukko
RK3055ETL Kuvat
RK3055ETL Hinta
RK3055ETL Tarjous
RK3055ETL Alin hinta
RK3055ETL Hae
RK3055ETL Ostaminen
RK3055ETL Chip