RRS110N03TB1
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Osa numero
RRS110N03TB1
Valmistaja/merkki
Sarja
-
Osan tila
Obsolete
Pakkaus
Tape & Reel (TR)
Tekniikka
MOSFET (Metal Oxide)
Käyttölämpötila
150°C (TJ)
Asennustyyppi
Surface Mount
Paketti / kotelo
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Toimittajan laitepaketti
8-SOP
Tehonhäviö (maks.)
2W (Ta)
FET-tyyppi
N-Channel
FET-ominaisuus
-
Tyhjennys lähdejännite (Vdss)
30V
Virta - Jatkuva tyhjennys (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Rds päällä (maks.) @ Id, Vgs
12.6 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Portin lataus (Qg) (Max) @ Vgs
33nC @ 5V
Tulokapasitanssi (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 10V
Taajuusmuuttajan jännite (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Vgs (max)
±20V
Pyydä tarjous
Täytä kaikki pakolliset kentät ja napsauta "LÄHETÄ. Otamme sinuun yhteyttä sähköpostitse 12 tunnin kuluessa. Jos sinulla on ongelmia, jätä viesti tai sähköposti osoitteeseen [email protected], vastaamme mahdollisimman pian.
Varastossa 25058 PCS
Yhteystiedot
Liittyvät tuotteet
Avainsanat aiheesta RRS110N03TB1
RRS110N03TB1 Elektroniset komponentit
RRS110N03TB1 Myynti
RRS110N03TB1 Toimittaja
RRS110N03TB1 Jakelija
RRS110N03TB1 Tietotaulukko
RRS110N03TB1 Kuvat
RRS110N03TB1 Hinta
RRS110N03TB1 Tarjous
RRS110N03TB1 Alin hinta
RRS110N03TB1 Hae
RRS110N03TB1 Ostaminen
RRS110N03TB1 Chip